Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
FDI3632
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDI3632-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventár:
Online RFQ
12847777
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDI3632 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
310W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
FDI3632
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
FDI3632-DG
Technické listy
FDI3632
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
FDI3632-DG
FDI3632FS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPI086N10N3GXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
270
ČÍSLO DIELU
IPI086N10N3GXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOB288L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AOB288L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPI076N12N3GAKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
498
ČÍSLO DIELU
IPI076N12N3GAKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.44
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
BUK969R3-100E,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
BUK969R3-100E,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SUM70090E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SUM70090E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDP090N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
FQP5N30
MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3
FDWS9511L-F085
MOSFET P-CH 40V 30A 8DFN
NDD05N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK