Výrobca Číslo produktu:
FDMA1025P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMA1025P-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventár:
2875 Ks Nové Originálne Na Sklade
12847292
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMA1025P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.8nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
450pF @ 10V
Výkon - Max
700mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-VDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
6-MicroFET (2x2)
Základné číslo produktu
FDMA1025
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Iné mená
FDMA1025PCT-DG
FDMA1025PDKR-DG
488-FDMA1025PTR
FDMA1025PTR
1990-FDMA1025PDKR
1990-FDMA1025PCT
FDMA1025PTR-DG
FDMA1025PCT
FDMA1025PDKR
1990-FDMA1025PTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS8333C
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
FDPC5030SG
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56