Výrobca Číslo produktu:
FDMA1027P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMA1027P-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6MICROFET
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 3A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventár:
1900 Ks Nové Originálne Na Sklade
12850891
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMA1027P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
435pF @ 10V
Výkon - Max
800mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-VDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
6-MicroFET (2x2)
Základné číslo produktu
FDMA1027
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMA1027PTR
FDMA1027PCT
FDMA1027PDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PMDPB58UPE,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
17912
ČÍSLO DIELU
PMDPB58UPE,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDJ1032C
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A SC75-6
ECH8601M-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
FDC6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
