Výrobca Číslo produktu:
FDMA410NZT
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMA410NZT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2.05x2.05)
Inventár:
23878 Ks Nové Originálne Na Sklade
12850284
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMA410NZT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1310 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-UDFN (2.05x2.05)
Balenie / puzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
FDMA410
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMA410NZTOSCT
FDMA410NZTOSTR
FDMA410NZTOSDKR
FDMA410NZT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF75637S3_NR4895
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
AOD454AL
MOSFET N-CH 40V 12A TO252
FDP20AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO220-3
