FDMC035N10X1
Výrobca Číslo produktu:

FDMC035N10X1

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMC035N10X1-DG

Popis:

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 5.5A (Ta) 2.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventár:

13001583
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDMC035N10X1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
37mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2675 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.3W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1
Iné mená
488-FDMC035N10X1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
anbon-semiconductor

AS2302

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IQE013N04LM6CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

microchip-technology

JANSR2N7591U3

RH MOSFET _ U3

infineon-technologies

IPB95R450PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3