Výrobca Číslo produktu:
FDMC86102LZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMC86102LZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventár:
5049 Ks Nové Originálne Na Sklade
12838948
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMC86102LZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta), 18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
24mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1290 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-MLP (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
FDMC86102
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMC86102LZDKR
FDMC86102LZTR
FDMC86102LZ-DG
FDMC86102LZCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
