Výrobca Číslo produktu:
FDMC86261P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMC86261P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Podrobný popis:
P-Channel 150 V 2.7A (Ta), 9A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventár:
761 Ks Nové Originálne Na Sklade
12850619
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMC86261P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.7A (Ta), 9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1360 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-MLP (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
FDMC86261
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMC86261PCT
FDMC86261PTR
FDMC86261PDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSP321PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
FDY102PZ
MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
FQD5N40TF
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
