FDMC8882

Výrobca Číslo produktu:

FDMC8882

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMC8882-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventár:

61937 Ks Nové Originálne Na Sklade

12837267

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDMC8882 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

10.5A (Ta), 16A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

14.3mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

945 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.3W (Ta), 18W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-MLP (3.3x3.3)

Balenie / puzdro

8-PowerWDFN

Základné číslo produktu

FDMC88

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

FDMC8882FSDKR

FDMC8882-DG

FDMC8882FSTR

FDMC8882FSCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FDMS8320L

MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN

onsemi

FDMC86570LET60

MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33

onsemi

FDB20N50F

MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

onsemi

FDP8876

MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3