Výrobca Číslo produktu:
FDMC89521L
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMC89521L-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 8.2A (Ta) 1.9W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Inventár:
8535 Ks Nové Originálne Na Sklade
12839760
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMC89521L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.2A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1635pF @ 30V
Výkon - Max
1.9W (Ta), 16W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-Power33 (3x3)
Základné číslo produktu
FDMC89521
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMC89521L-DG
ONSONSFDMC89521L
FDMC89521LDKR
2156-FDMC89521L-OS
FDMC89521LTR
FDMC89521LCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
FDME1023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
EFC6618R-A-TF
MOSFET 2N-CH EFCP
