Výrobca Číslo produktu:
FDMD84100
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMD84100-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V 7A 2.1W Surface Mount Power 3.3x5
Inventár:
4869 Ks Nové Originálne Na Sklade
12848180
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMD84100 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual) Common Source
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
980pF @ 50V
Výkon - Max
2.1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Balík zariadení dodávateľa
Power 3.3x5
Základné číslo produktu
FDMD84
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMD84100CT
FDMD84100TR
FDMD84100DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS89161
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
22674
ČÍSLO DIELU
FDS89161-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EFC6611R-TF
MOSFET 2N-CH 12V 27A 6CSP
FDPC8012S
MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
MMDF2P02HDR2G
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8SOIC
