FDMD8530

Výrobca Číslo produktu:

FDMD8530

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMD8530-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 30V 35A POWER56

Podrobný popis:

Mosfet Array 30V 35A 2.2W Surface Mount Power56

Inventár:

Online RFQ

12846777

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDMD8530 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, FET, MOSFET pole

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Obsolete

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurácia

2 N-Channel (Dual)

Funkcia FET

-

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

35A

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.25mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

149nC @ 10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

10395pF @ 15V

Výkon - Max

2.2W

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balenie / puzdro

8-PowerWDFN

Balík zariadení dodávateľa

Power56

Základné číslo produktu

FDMD85

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

2832-FDMD8530TR

FDMD8530CT

FDMD8530-DG

FDMD8530TR

FDMD8530DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FDS4501H

MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC

onsemi

FDMS3664S

MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56

FDC6506P

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6

alpha-and-omega-semiconductor

AON6924

MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN