Výrobca Číslo produktu:
FDMJ1032C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMJ1032C-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET
Inventár:
12837401
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMJ1032C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.2A, 2.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
270pF @ 10V
Výkon - Max
800mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-WFDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
SC-75, MicroFET
Základné číslo produktu
FDMJ1032
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMJ1032CCT
FDMJ1032CDKR
FDMJ1032CTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK9K5R6-30EX
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
FDW2503N
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
EFC4627R-TR
MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
