Výrobca Číslo produktu:
FDMQ8203
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMQ8203-DG
Popis:
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Podrobný popis:
Mosfet Array 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Inventár:
12847107
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMQ8203 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
GreenBridge™ PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100V, 80V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.4A, 2.6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Výkon - Max
2.5W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
12-WDFN Exposed Pad
Balík zariadení dodávateľa
12-MLP (5x4.5)
Základné číslo produktu
FDMQ82
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMQ8203TR
FDMQ8203DKR
FDMQ8203CT
FDMQ8203-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDC6020C_F077
MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP
NDS9942
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SOIC
FDW2503NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
