FDMS039N08B
Výrobca Číslo produktu:

FDMS039N08B

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMS039N08B-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventár:

3489 Ks Nové Originálne Na Sklade
12836629
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDMS039N08B Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19.4A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7600 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS039

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS039N08BTR
FDMS039N08BCT
FDMS039N08BDKR
2156-FDMS039N08BTR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FDFS6N548

MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC

onsemi

FDMC8554

MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP

onsemi

FDMS8020

MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

onsemi

FQP12P20

MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3