Výrobca Číslo produktu:
FDMS10C4D2N
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS10C4D2N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
2995 Ks Nové Originálne Na Sklade
12835644
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS10C4D2N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4500 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS10C4D2NOSDKR
FDMS10C4D2NOSCT
FDMS10C4D2NOSTR
FDMS10C4D2N-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AONS66916
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2982
ČÍSLO DIELU
AONS66916-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.52
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF76645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
2SK4043LS
MOSFET N-CH 30V 20A TO220FI
HUFA75329S3ST
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
