Výrobca Číslo produktu:
FDMS3572
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS3572-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 8.8A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Inventár:
8868 Ks Nové Originálne Na Sklade
12840465
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS3572 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
UltraFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.8A (Ta), 22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2490 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-MLP (5x6), Power56
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
FDMS35
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS3572TR
FDMS3572DKR
FDMS3572CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFS4C024NT3G
MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
AUIRFS4310TRL
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
ECH8308-TL-H
MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
