Výrobca Číslo produktu:
FDMS4D0N12C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS4D0N12C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
4063 Ks Nové Originálne Na Sklade
12847102
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS4D0N12C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
120 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 370A
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6460 pF @ 60 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-DG
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AON2407
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
NTD4858N-35G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
