Výrobca Číslo produktu:
FDMS7570S
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS7570S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 28A/49A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
12837501
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS7570S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 49A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4515 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS7570
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS7570STR
FDMS7570SDKR
FDMS7570SCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC026NE2LS5ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
BSC026NE2LS5ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.49
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF75344P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQP44N10
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
FDP045N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
