Výrobca Číslo produktu:
FDMS8570SDC
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS8570SDC-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 28A/60A DLCOOL56
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 60A (Tc) 3.3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
12840323
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS8570SDC Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
28A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2825 pF @ 13 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
3.3W (Ta), 59W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS85
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS8570SDCTR
FDMS8570SDCDKR
FDMS8570SDCCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTB75N06T4G
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
NVMFS6B14NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
FQB3N25TM
MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
