FDMS86105
Výrobca Číslo produktu:

FDMS86105

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMS86105-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventár:

23647 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846321
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDMS86105 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Ta), 26A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
34mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
645 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS86

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS86105DKR
2156-FDMS86105-OS
FDMS86105CT
FDMS86105-DG
FDMS86105TR
ONSONSFDMS86105

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
alpha-and-omega-semiconductor

AOWF11C60

MOSFET N-CH 600V 11A TO262F

alpha-and-omega-semiconductor

AOI2614

MOSFET N-CH 60V 13A/35A TO251A

alpha-and-omega-semiconductor

AO3421L

MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4136

MOSFET N-CH 25V 25A TO252