Výrobca Číslo produktu:
FDMS86150A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS86150A-DG
Popis:
FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 60A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount Power56
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12974278
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS86150A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4665 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.7W (Ta), 113W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
Power56
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-FDMS86150ADKR
488-FDMS86150ACT
488-FDMS86150ATR
2832-FDMS86150ATR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJP2NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJL9411_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJA3412-AU_R2_000A1
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
