Výrobca Číslo produktu:
FDMS86163P-23507X
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS86163P-23507X-DG
Popis:
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
12974579
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS86163P-23507X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.9A (Ta), 50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4085 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-FDMS86163P-23507XTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTTFS080N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
NVMFS5C410NWFET1G
T6-40V N 0.92 MOHMS SL
NTMFS0D55N03CGT1G
WIDE SOA