Výrobca Číslo produktu:
FDMS86202
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMS86202-DG
Popis:
MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 13.5A (Ta) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventár:
12846953
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMS86202 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
120 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4250 pF @ 60 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.7W (Ta), 156W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PQFN (5x6)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
FDMS86
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMS86202DKR
FDMS86202CT
FDMS86202TR
2156-FDMS86202-OS
ONSFSCFDMS86202
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMC8651
MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
FQP19N20L
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
64-2128
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
