FDMS86202ET120

Výrobca Číslo produktu:

FDMS86202ET120

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDMS86202ET120-DG

Popis:

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

Podrobný popis:

N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventár:

Online RFQ

12840057

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDMS86202ET120 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

120 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

13.5A (Ta), 102A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

6V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

4585 pF @ 60 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

8-PQFN (5x6)

Balenie / puzdro

8-PowerTDFN

Základné číslo produktu

FDMS86202

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

FDMS86202ET120-DG

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

FDMS86202ET120TR

FDMS86202ET120CT

FDMS86202ET120DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FQA36P15

MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN

PCFG40N120ANF

MOSFET N-CH

onsemi

FQPF5N50CFTU

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

onsemi

NTB125N02RT4

MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK