Výrobca Číslo produktu:
FDN339AN_G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDN339AN_G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
12837366
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDN339AN_G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
FDN339
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDPF10N50FT
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FCH060N80-F155
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
HUF75329D3S
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA