Výrobca Číslo produktu:
FDN5630-B8
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDN5630-B8-DG
Popis:
FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
12975173
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDN5630-B8 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
560 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-FDN5630-B8TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPT65R099CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
G65P06D5
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
