Výrobca Číslo produktu:
FDN86265P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDN86265P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Podrobný popis:
P-Channel 150 V 800mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
26027 Ks Nové Originálne Na Sklade
12838997
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDN86265P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
800mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
210 pF @ 75 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
FDN86265
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDN86265PTR
FDN86265PCT
FDN86265PDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF76429D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FCI25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
FDC8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
