Výrobca Číslo produktu:
FDP150N10A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDP150N10A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12848319
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP150N10A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1440 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
91W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP150
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB4510PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1965
ČÍSLO DIELU
IRFB4510PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDP150N10A-F102
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
223
ČÍSLO DIELU
FDP150N10A-F102-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.03
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
PSMN7R0-100PS,127
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4441
ČÍSLO DIELU
PSMN7R0-100PS,127-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI90N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
MTD6N20ET4G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
FCH47N60F-F085
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
