Výrobca Číslo produktu:
FDP18N50
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDP18N50-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12847686
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP18N50 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
265mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2860 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
235W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP18
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2156-FDP18N50-OS
ONSONSFDP18N50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP460P2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
270
ČÍSLO DIELU
IXTP460P2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFP26N50P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
60
ČÍSLO DIELU
IXFP26N50P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.46
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BS107ARL1
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
FDMS8050ET30
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
IPAN80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
