Výrobca Číslo produktu:
FDP52N20
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDP52N20-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12848622
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP52N20 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
52A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
49mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
357W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP52
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP50N20P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
149
ČÍSLO DIELU
IXTP50N20P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFB260NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1094
ČÍSLO DIELU
IRFB260NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.16
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AON7444L
MOSFET N-CH 60V 8DFN
NTMS4177PR2G
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
AON7412
MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
