Výrobca Číslo produktu:
FDP5N50NZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDP5N50NZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
3522 Ks Nové Originálne Na Sklade
12847345
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP5N50NZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
UniFET-II™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
440 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
78W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP5
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF830PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9086
ČÍSLO DIELU
IRF830PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCP600N65S3R0
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
800
ČÍSLO DIELU
FCP600N65S3R0-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.94
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
AOT5N50
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
588
ČÍSLO DIELU
AOT5N50-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
FDC697P
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
