Výrobca Číslo produktu:
FDPF4D5N10C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDPF4D5N10C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
898 Ks Nové Originálne Na Sklade
12839253
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDPF4D5N10C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
128A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 310µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5065 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FDPF4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
2156-FDPF4D5N10C-488
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF75329G3
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
FDS7066ASN3
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
FQB55N06TM
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
