Výrobca Číslo produktu:
FDR838P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDR838P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventár:
12838912
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDR838P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3300 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SuperSOT™-8
Balenie / puzdro
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Základné číslo produktu
FDR83
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDS6375
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2121
ČÍSLO DIELU
FDS6375-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS86310
MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
FDB3652-F085
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
FDS3590
MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC