FDR840P

Výrobca Číslo produktu:

FDR840P

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDR840P-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Inventár:

Online RFQ

12838958

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDR840P Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

20 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

10A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

2.5V, 4.5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

12mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

1.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

60 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±12V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

4481 pF @ 10 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

1.8W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

SuperSOT™-8

Balenie / puzdro

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Základné číslo produktu

FDR84

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

HUF76639S3S

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

infineon-technologies

BSV236SPH6327XTSA1

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6

onsemi

FDD4243-F085P

MOSFET P-CH 40V 14A TO252

onsemi

FDMC8462

MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33