Výrobca Číslo produktu:
FDS2670
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS2670-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
2359 Ks Nové Originálne Na Sklade
12837484
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS2670 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1228 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
FDS26
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDS2670TR
FDS2670CT
ONSONSFDS2670
2156-FDS2670-OS
FDS2670DKR
FDS2670-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQD4P40TM-AM002
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
HUF76645S3S
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
FQP7N80
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
