Výrobca Číslo produktu:
FDS4465-G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS4465-G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12997451
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS4465-G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
120 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8237 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2832-FDS4465-G-488
488-FDS4465-GTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CMS25N10D-HF
MOSFET P-CH 100V 25A DPAK
CMS11N10Q8-HF
MOSFET N-CH 100V 11A 8SOP
RJL5014DPP-A0#T2
ABU / MOSFET HV
