Výrobca Číslo produktu:
FDS4559
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS4559-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 4.5A, 3.5A 1W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
10993 Ks Nové Originálne Na Sklade
12839609
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS4559 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A, 3.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Výkon - Max
1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
FDS45
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDS4559CT
FDS4559TR
FDS4559-DG
ONSFDS4559
2156-FDS4559-OS
FDS4559DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ECH8651R-R-TL-HX
MOSFET
FDW2501NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
FDMD82100
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
