Výrobca Číslo produktu:
FDS6679Z
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS6679Z-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12836840
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS6679Z Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3803 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
FDS66
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQD2N100TF
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
3LP01C-TB-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
FQA13N50C
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
