Výrobca Číslo produktu:
FDS6912A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS6912A-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
6968 Ks Nové Originálne Na Sklade
12849585
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS6912A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.1nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
575pF @ 15V
Výkon - Max
900mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
FDS69
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-FDS6912A-OS
FAIFSCFDS6912A
FDS6912ATR
FDS6912ADKR
FDS6912ACT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AON7611
MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN
FW4604-TL-2W
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
AO4852
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
