Výrobca Číslo produktu:
FDS8858CZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS8858CZ-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 8.6A, 7.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
18185 Ks Nové Originálne Na Sklade
12848508
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS8858CZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8.6A, 7.3A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1205pF @ 15V
Výkon - Max
900mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
FDS8858
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDS8858CZTR
FDS8858CZDKR
FDS8858CZCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOC2804B
MOSFET 2N-CH 4DFN
FDS8984
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
AO4854L_102
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC