Výrobca Číslo produktu:
FDS8935
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS8935-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12839461
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS8935 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
879pF @ 40V
Výkon - Max
1.6W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
FDS89
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDS8935TR
FDS8935-DG
FDS8935CT
FDS8935DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EFC4618R-P-TR
MOSFET 2N-CH EFCP1818
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
