Výrobca Číslo produktu:
FDS9958
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS9958-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12849778
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS9958 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.9A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1020pF @ 30V
Výkon - Max
900mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
FDS99
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDS9958CT
FDS9958DKR
2832-FDS9958
FDS9958TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO6601_001
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
HUFA76404DK8T
MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8SOIC
