FDU8874

Výrobca Číslo produktu:

FDU8874

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDU8874-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK

Podrobný popis:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventár:

Online RFQ

12850313

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDU8874 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

18A (Ta), 116A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

5.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

72 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2990 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

110W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

I-PAK

Balenie / puzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Základné číslo produktu

FDU88

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,800

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FQPF13N06

MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F

onsemi

FDB4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB

onsemi

FQB27P06TM

MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

onsemi

FDS7079ZN3

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO