Výrobca Číslo produktu:
FDU8880
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDU8880-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
12851195
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDU8880 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta), 58A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1260 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
FDU88
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDD8880
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13967
ČÍSLO DIELU
FDD8880-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDZ191P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
IPB80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
