FDV303N
Výrobca Číslo produktu:

FDV303N

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FDV303N-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventár:

86301 Ks Nové Originálne Na Sklade
12850112
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FDV303N Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
680mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.7V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
350mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
FDV303

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDV303NCT
2156-FDV303N-OS
FDV303NCT-NDR
FDV303NDKR
FDV303NTR
ONSONSFDV303N
FDV303NTR-NDR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

IRF840B

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3

onsemi

FQD6N50CTM

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1413

MOSFET P-CH 30V 38A ULTRASO-8

onsemi

FQD4N20LTF

MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK