Výrobca Číslo produktu:
FDW2520C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDW2520C-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 6A, 4.4A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventár:
12921099
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDW2520C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A, 4.4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1325pF @ 10V
Výkon - Max
600mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-TSSOP
Základné číslo produktu
FDW25
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDW2520CCT
FDW2520CDKR
FDW2520CTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
SQ4937EY-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
SI8902AEDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6MICRO FOOT
