Výrobca Číslo produktu:
FDW262P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDW262P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventár:
12836820
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDW262P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1193 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSSOP
Balenie / puzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Základné číslo produktu
FDW26
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQPF16N25C
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
IRFU220BTU_FP001
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
IRLS640A
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
