Výrobca Číslo produktu:
FDZ193P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDZ193P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1x1.5)
Inventár:
12836987
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDZ193P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.7V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
660 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-WLCSP (1x1.5)
Balenie / puzdro
6-UFBGA, WLCSP
Základné číslo produktu
FDZ19
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
FDZ193PCT
1990-FDZ193PTR
1990-FDZ193PCT
1990-FDZ193PDKR
FDZ193PTR
FDZ193PDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PMCM4402UPEZ
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16380
ČÍSLO DIELU
PMCM4402UPEZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUFA75639S3ST
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
FDS86240
MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
FQA8N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
