Výrobca Číslo produktu:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDZ3N513ZT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Inventár:
12838288
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDZ3N513ZT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.1A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
3.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+5.5V, -0.3V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
85 pF @ 15 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
4-WLCSP (0.96x0.96)
Balenie / puzdro
4-UFBGA, WLCSP
Základné číslo produktu
FDZ3N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI8808DB-T2-E1
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8727
ČÍSLO DIELU
SI8808DB-T2-E1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
