Výrobca Číslo produktu:
FDZ663P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDZ663P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
Inventár:
12838532
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDZ663P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
134mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
525 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
4-WLCSP (0.8x0.8)
Balenie / puzdro
4-XFBGA, WLCSP
Základné číslo produktu
FDZ66
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
FDZ663PCT
FDZ663PDKR
FDZ663PTR
FDZ663P-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF75343G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
FQP30N06
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
FQB12P10TM
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
